（原标题：三星终末的防地，失守？）

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三星当今感到很慌。

并不是自家的三星手机卖不动了，而是在存储阛阓份额依旧保抓最先的情况下，被另一家韩国厂商在工夫上不停迥殊。

据韩媒音信，近日SK海力士文告已运行量产全球首款321层1Tb TLC NAND闪存，该居品通过垂直堆叠321层存储单位，每个单位可存储3比特数据，终明晰1Tb的总容量，新址品的数据传输速率较上一代提高12%，读取性能提高13%，况且数据读取的电力成果提高跨越10%。

值得注目的是，这一程度仍是快于业内NAND龙头三星，SK海力士关系东谈主士暗示：“通过321层NAND，咱们谋略积极反应东谈主工智能（AI）低功耗高性能的新兴阛阓，冉冉扩大居品应用范围。”

这一音信速即在存储业界激发了热议，从DRAM到HBM，再到NAND，三星一再落伍于海力士，这位巨头全心规划三十余年的存储帝国，真实要濒临一场垮塌了吗？

HBM落伍

先是面前业界最热的HBM，毫无疑问，SK海力士岂论是阛阓份额照旧工夫鼓励，都遥遥最先于三星。

HBM的历史不错记忆到十多年前，AMD在收购ATI后，运行推敲更先进的显存工夫，那时的GDDR堕入到了内存带宽和功耗限度的瓶颈，而AMD就贪图用先进的TSV工夫打造立体堆栈式的显存颗粒，让“平房”进化为“楼房”，通过硅中介层让显存联络至GPU中枢，终末封装到沿途，终了显存位宽和传输速率的提高。

那时AMD的合营伙伴即是SK海力士，经过多年研发后，两家厂商集中推出了初代HBM居品，这一居品也被定为了JESD235行业标准，初代HBM的使命频率约为1600 Mbps，漏极电源电压为1.2V，芯片密度为2Gb（4-hi），带宽达4096bit，远超GDDR5的512bit。

新工夫的出身并非一帆风顺，AMD后续在消费端显卡里取消了HBM显存，而海力士也莫得因为这一新内存标准而赚钱，此时三星却找到了契机，通过这一通用的行业标准，三星成为了英伟达Tesla P100显卡中HBM2显存的供应商，这也成了三星的高光时刻之一。

但三星在HBM上的上风并未保抓多久，2021 年 10 月，海力士率先量产HBM的第四代居品——HBM3，收尾面前，SK海力士简直包揽了英伟达的HBM3的供应，也曾更快量产HBM2的三星，却还莫得显著的HBM3的供应阐扬。

问题出在了那里呢？

蓝本在HBM这项工夫上，三星和SK海力士各自剿袭不同的封装程序。SK的聘用是回流焊成型底部填充 (MR-MUF) 程序，在烤箱中同期烘烤通盘层，而三星则剿袭了热压缩非导电膜 (TC NCF) 工夫，在每层之间用薄膜堆叠芯片。

SK海力士的 MR-MUF 工夫可一次性封装多层 DRAM。在 DRAM 下方，灵验于联络芯片的铅基“凸块”，MR 工夫波及加热并同期融解通盘这些凸块以进行焊合。联络通盘 DRAM 后，将践诺称为 MUF 的工艺来保护芯片，通过注入一种以出色的散热性而驰名的环氧密封化合物来填充芯片之间的间隙并将其封装起来，然后通过施加热量和压力使组件变硬，从而完成 HBM。SK海力士将此进程形色为“像在烤箱中烘烤相同均匀地施加热量并一次性粘合通盘芯片，使其沉稳而高效。”

三星的 TC NCF 被称为“非导电薄膜热压”，与MR-MUF略有不同。其每次堆叠芯有顷，都会在各层之间甩掉一层非导电粘合膜。该膜是一种团聚物材料，用于将芯片互相袭击，并保护联络点免受冲击。三星冉冉裁减了 NCF 材料的厚度，将其降至 12 层第五代 HBM3E 的 7 微米 (μm)。三星暗示：“这种程序的优点是不错最大限制地减少跟着层数增多和芯片厚度减小而可能发生的翘曲，使其更稳妥构建更高的堆栈。”

但三星显然出现了判断造作，TC NCF远不如MR-MUF来得沉稳，据外洋分析师暗示，三星HBM3芯片的坐褥良率约为10%~20%，而SK海力士的HBM3良率可达60%~70%。

韩国业内东谈主士暗示：“三星似乎在用于 HBM 封装的 TC-NCF 工艺中濒临产能问题，只是因为他们在内存半导体鸿沟的主导地位，就以为他们的工夫天生就适用，这种思法仍是过时了。三星的HBM3E样品的功耗是SK海力士的两倍多，这些问题导致东谈主们月旦其性能联系于功耗太低。”

尽管三星仍是在起劲处理我方HBM芯片的过热问题了，但收尾面前为止，三星所坐褥的HBM3E还莫得正经参预英伟达的供应链，据彭博社24日报谈，英伟达首席践诺官黄仁勋暗示，为了批准三星电子的供货，正在尽快进哄骗命，正在推敲HBM3E 8层堆叠和12层堆叠都接受供货的决议。

而与之变成显然对比的，是SK海力士的HBM3E早已成为英伟达指定供应商，不出不测的话，B200芯片首批出货只会使用SK海力士的HBM。

DRAM折戟

此后是存储行业的主心骨——DRAM，三星也出现了劣势。

三星夙昔在DRAM鸿沟独步全球的原因很节略，即是把微缩工艺工夫作念到了遥遥最先。DRAM微缩工艺的流毒性在于它径直影响居品质能。跟着电路子宽的收缩，DRAM的集成度提高，从而提高了性能和电源成果。这意味着电子开采的反应速率更快，电板消耗更少。此外，跟着不错从一块晶圆上制造的半导体数目增多，坐褥成果也得到了提高。

DRAM微缩工艺从30纳米、20纳米冉冉演进到10纳米，三星电子在此进程中一直占据压倒性上风。10纳米级DRAM按1x（第一代）-1y（第二代）-1z（第三代）-1a（第四代）-1b（第五代）的规定坐褥。三星早在2016年第一季度就文告率先量产10纳米级1x工艺，而SK海力士和好意思光则简直晚了整整一年才运行量产，从10纳米级的1x到1z，三星都是无谓置疑的第一，从工夫和阛阓上都对另外两家变成了碾压之势。

但是变数就出当今了第四代上，2021年1月，好意思光文告率先量产10纳米级第四代（1a）DRAM，蜕变了过往三星具备都备总揽力的情势。跟着DRAM参预10纳米级工艺，微缩工夫难度大幅增多，夙昔通过创新氟化氩（ArF）光刻开采来鼓励的微缩工艺已达到极限，从2022年运行，公共多数以为三星、SK海力士和好意思光的DRAM工夫骨子上已处于归并水平线上，

在氟化氩开采达到极限的现阶段，极紫外（EUV）光刻开采登上了舞台，当作利用极紫外光在芯片上描绘超狭窄电路的下一代半导体坐褥开采，其被视为冲突现存开采工夫限制的替代决议。

在10纳米级第四代开发工艺中，三星和SK海力士率先引入了EUV光刻工夫，而好意思光的作念法稍有不同，它剿袭了传统光刻开采进行屡次轻微电路描绘的“多重图案化”工夫，从而更快地终明晰微缩工艺退换。尽管这种程序不需要完全蜕变现存花样，但由于需要屡次描绘电路，也会带来工艺程序增多，坐褥成果下降等问题。

三星电子在10纳米级第四代时微缩工艺退换速率变慢的原因，被分析以为是研发组织的官僚化和EUV工艺退换中的进修罪戾等多种身分共同作用的收尾。三星电子的一位高层东谈主士解说说：“在微缩工艺参预10纳米级时，芯片瞎想和坐褥的复杂性增多，而管制层在获取下一代工夫方面显得过于自诩，极度是EUV开采在优化DRAM坐褥上消费了迥殊长的时期。”

尽管在本年 5 月，三星成为第一家运行坐褥第五代 10nm (1b) DDR5 DRAM 的内存制造商，比 SK Hynix 提前 10 天，但这种最先并未保抓多久。

SK 海力士在本年8月底暗示，仍是开发出第六代 10 nm（1c）16Gb DDR5 DRAM，成为第一家终了这一指场地内存制造商，最先于国内竞争敌手三星，其暗示，将于来岁运行供应其最新款DRAM。

关于三星来说，HBM或者是一个小小的失利，万生优配官网，万生配资公司，万生股票策略，股票资讯，股票策略，股票配资而DRAM的落伍似乎仍是敲响了警钟。

NAND露怯

终末是NAND，三星也输给了SK海力士

在SK海力士量产300层NAND前，NAND业界最高堆叠层数为200多层，而由它率先推出300层居品的音信，让三星里面感受到了危境感。

值得一提的是，最早将NAND单位从水平成列转为垂直堆叠的工夫恰是由三星电子在2013年推出的“V-NAND”。自那以后，NAND行业便以堆叠层数的提高当作工夫竞争的标准。一位三星电子里面东谈主士暗示：“在上一代居品中，咱们曾通过疗养量产准备的评价基准或条目，努力霸占首发开发时点，但如今面对SK海力士日益增强的工夫实力，这也变得不易。”

夙昔几年时期，三星、SK海力士、好意思光一直在NAND张开竞争。好意思光于2021岁最先于三星、SK海力士量产176层NAND闪存，并于2022年底率先商用化232层居品，一度被评价具有工夫上风。不外，在2023年5月坐褥出全球首款238层居品后，SK海力士以先发300层居品的花样，在三大存储公司中占据最先地位。另一方面，三星电子预测将跳过300层NAND闪存，专注于400层NAND。

特真理的是，固然夙昔NAND闪存相较于DRAM在AI阛阓的红利中所获未几，但近期情况发生了变化。为了支抓数据中心的AI谋略，对快速且高性能的固态硬盘（SSD）的需求速即增多，企业级SSD（eSSD）成为增长热门，其需求量正速即贴近HBM的水平。SK海力士正成为AI驱动NAND需求增长的最大受益者之一，2023年第三季度，SK海力士的eSSD销售额同比增长了430%，占其合座SSD销售额的60%。

SK海力士正在加快膨胀以eSSD为中枢的NAND竞争力。最近，SK集团会长崔泰源接任SK海力士子公司Solidigm的董事会主席。Solidigm是独一终了四阶单位（QLC）NAND量产的企业，并引颈着eSSD的供应。QLC每个存储单位可容纳4比特数据，具有更高的容量成果，因此被以为是高慢AI数据中心高容量需求的理思聘用。

韩国业内东谈主士指出：“AI数据中心比PC和挪动开采更需要高容量和高速率的存储开采。固然SSD性能优于HDD，但价钱一直是门槛，而基于QLC的居品因其在容量和资本成果上的上风，正受到AI数据中心的贵重。”

关于三星来说，NAND是必须守住的终末防地。一直稳居存储行业龙头的三星，正因AI带来的行业变化，先后在HBM和DRAM阛阓中被“多大哥二”SK海力士追逐以至迥殊。在HBM阛阓，SK海力士已完全占据最大客户英伟达的订单；而不才一代DRAM（D1c）量产竞赛中，SK海力士也被以为稍占上风。

一位业内东谈主士暗示：“若是继DRAM和HBM之后，连NAND鸿沟也被三星允许SK海力士追逐顺利，那么关于SK海力士来说，将变成象征性道理的‘三连击’。尽管面前三星的阛阓份额仍然遥遥最先，但SK海力士依托快速增长的eSSD阛阓，有可能速即收缩这一差距。”

至于三星的400层NAND，距离量产还有迥殊长一段时期。据了解，三星谋略于2026年推出被视为“AI时期必备半导体”的“大容量、高散热”新式居品——BV NAND闪存（Bonding Vertical NAND Flash）。

这一新办法居品勾通了三星在2013年全球始创的V NAND工夫（通过垂直堆叠存储单位以最大化容量）和新式接合（Bonding）工夫，不错终了跨越400层的垂直堆叠。

把柄《韩国经济日报》28日获取的三星存储半导体开发谋略，DS部门谋略于2026年运行坐褥400层以上堆叠的BV NAND。面前，NAND闪存在一派晶圆上瞎想有负责限度的外围电路（Peripheral Circuit），在其上方最多堆叠286层存储单位。然则，由于在单位堆叠进程中下方外围电路的损坏及散热智商下降，难以进一步增多堆叠高度。

三星暗示，其剿袭了一种新式键合工夫：先完成存储单位的堆叠，再将另一派晶圆上制造的外围电路接合到单位之上，这一工夫将大幅提高居品的性能和沉稳性。

三星豪恣宣传我方的400层NAND已在路上，但面前在堆叠上的落伍仍是变成，就怕短时期内难以扶直。

前所未有大变革

面对三大工夫的落伍，三星又运行了大刀阔斧的更动。

据韩媒报谈，三星在11月27日对其半导体部门训诫层进行了大限制疗养，任命了内存和代工业务的新负责东谈主，同期保抓了副会长郑英贤和韩宗熙的双重训诫地位。这些变动是公司为提高全球芯片阛阓竞争力而进行的2025年度高管换届的一部分。

这次三星东谈主事疗养包括两位高管晋升为总裁，另外七东谈主被任命到新岗亭。负责开采处理决议（DS）部门的副会长郑英贤将径直监管内存业务，接替总裁李正培。郑英贤将在七年后重返这一变装，上一任内存部门训诫职务是在2017年。

濒临坚苦的代工业务在阅历了数次季度耗费后，将由前开采处理决议好意思国公司总裁兼践诺副总裁韩晋满训诫。韩晋满这次晋升为总裁，领有丰富的DRAM和NAND闪存瞎想以及芯片部门计谋营销训诫。

为提高代工部门的竞争力，三星开采了新的首席工夫官（CTO）职位，并任命前FAB工程与运营总裁南锡宇担任该职务。南锡宇是半导体工艺开发和制造群众，曾训诫三星半导体研发中心的通盘内存居品的工艺开发。

三星电子半导体工夫负责东谈主近日暗示，对现时三星电子股价的下落阐扬出信心，以为“只需一年时期便可规复”。他还强调，下一代DRAM和NAND闪存工夫正按谋略鼓励，不会出现任何延误。据悉，三星电子最快将在27日进行管制层疗养，业界关注这次疗养是否会对半导体部门（DS部门）进行大幅度东谈主事更迭。

值得一提的是，三星电子开采处理决议（DS）部门首席工夫官（CTO）宋在赫日前边向半导体推敲所职工还进行了管制近况诠释会。他暗示：“在擅自局势，时时有东谈主问起三星电子的股价，我亦然这么复兴的。”半导体推敲所是三星电子DS部门的中枢构成部分，专注于下一代半导体器件结构与工艺工夫的研发，被视为研发的“大脑”。

宋在赫的发言判辨了对成功鼓励下一代工夫开发的信心。他指出，用于下一代居品10纳米（nm，十亿分之一米）以下DRAM的中枢工夫正在稳步开发中。业界鲁莽以电路子宽当作评判DRAM性能的标准。现时商用的DRAM居品为10纳米级工夫，已阅历第一代、第二代和第三代的工夫演进。

然则，当DRAM的电路子宽小于10纳米时，现存结构难以冲突微缩化极限，因此需要引入新结构（如VCT）以及赈济该结构的中枢工夫。尤其在10纳米以下工夫中，存储数据的单位被瞎想为垂直结构是其显耀特色。宋CTO今日所说起的“低温结工夫”和“接合工夫”恰是支抓新结构的代表性要津工夫。

他暗示：“低温结工夫和接合工夫的开发均按照本年设定的时期表成功鼓励。”结（Junction）指的是两种具有不同脾气的半导体材料勾通的界面。鲁莽情况下，制造结时需要对接合部位进行高温处理，雷同于将新砖块镶嵌坚贞的砖墙结构时需要加热砖墙以创造漏洞。然则，在垂直单位结构中，高温可能会损坏已完成层的电路或器件，因此低温工夫具有上风。此外，由于单位剿袭垂直堆叠，联络高下晶圆的接合工夫也成为要津。

宋在赫还对NAND闪存工夫暗示了信心。他强调，下一代NAND居品V10的开发也将按指标性能和时期表鼓励。

关于如今的三星来说，只可靠奋发图强来弥补仍是变成的差距。

需要注目的是，三星天然不是全面落伍，当作和一度和英特尔平起平坐的芯片巨头，照旧有些压箱底的工夫在的。

举例，在本年10月，三星展示了其在CXL工夫方面的进展，CXL是一种旨在提高CPU、GPU和内存之间数据传输成果和速率的工夫，有望不才一代AI和谋略使命负载中表现要津作用，其谋略在2024年底前量产合乎CXL 2.0公约的256GB CMM-D，且同联思一谈完成了业界首个 128GB CMM-D CXL 内存模块集中考证。

又比如，在本年11月，三星共享了它在PIM（内存处理）上的进展，这是一种新式AI芯片，可同期存储和处理数据，从而显着裁减功耗，其于2021年开发了首款HBM-PIM芯片，将AI处理器集成到HBM芯片中以优化成果，面前三星正在和AMD合营来鼓励这一工夫的发展。

但三星和英特尔相同痛苦的是，这些看起来最先的工夫短时期内无法快速滚动阛阓中的竞争力，它给出了一张看似好意思好的蓝图，但何如样变为推行，这或者是很多东谈主的确宽恕的。

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